CSD18563Q5AT

功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8SON

制造商:texas instruments

系列:NexFET??

包装:剪切带(CT)

零件状态:有效

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.8 mOhm @ 18A、 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1500pF @ 30V

功率 - 最大值:3.2W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerTDFN

供应商器件封装:8-VSON(5x6)

标准包装:1

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